一.共发射极放大电路

由NPN组成的共发射极电路如右图所示，待放大信号接到Ui端，通过电容C1耦合到三极管的基极，放大后的信号经C2耦合输出到负载R_L，C1和C2起到耦合交流的作用，通常称为耦合电容，为使信号顺利通过，要求在输入信号的频率下，容抗很小，因此要取容量较大的有极性电解电容，这样对于交流信号，C1和C2可视为短路。

为不使信号源及负载对放大电路直流工作点产生影响，则要求C1和C2的漏电流很小，即要求C1和C2有隔断直流的作用，所以C1和C2也可称为隔直流电容器。

电源VCC通过R_B1、R_B2、R_C、R_E使三极管获得合适的偏置，为三极管工作在放大状态提供必要条件。R_B1和R_B2称为基极偏置电阻，R_E称为发射极电阻，R_C称为发射极负载电阻。由于电流流过R_C会产生电压变化，所以三极管集电极的电流变化将会引起集电极的电压变化，从而实现了信号的电压放大，C_E称为交流傍路电容，目的是使R_E不对电路的放大倍数产生影响。所以要求它的容抗越小越好，在低频电路中，C_E通常采用电解电容。

下图为共基极放大电路的直流通路

由图可见，三极管的偏置电压由VCC经R_B1和R_B2分压获得，这中电路也叫“分压偏置式工作点稳定直流通路”。

下面来看工作点稳定的原理：

当流过R_B1和R_B2的直流电流I₁远远大于基极电流I_BQ时，可得到三极管基极的直流电压U_BQ为：

由于U_EQ=U_BQ-U_BEQ,所以求得三极管发射极直流电流为：

三极管集电极、基极的直流电流分别为：I_CQ≈I_EQ，I_BQ≈I_EQ/β。

本极管C、E之间的直流管压降为：U_CEQ=V_CC-I_CQR_C-I_EQR_E≈V_CC-I_CQ（R_C+R_E）。

由于三极管的β、I_CBO、I_CEO、U_BE等都与温度有关，当温度升高时β、I_CBO、I_CEO增大，管压降将下降，这些都会引起静态工作电流I_CQ的增大。温度降低将相反。这些都会影响到电路的性能，严重时电路将不工作。而分压偏置电路可以很好解决这一问题。

由三极管的C、E直流压降式可知，CE的压降只与I_CQ有关,当这些参数一定时，CE的压降就代表了电路的静态工作点。

当温度上升时，由于I_CQ（I_EQ）增加，在R_E上产生的压降I_EQR_E也要增加，由于I_CQ≈I_EQ，U_BEQ=U_BQ-I_EQR_E。而U_BQ是固定的，所以U_BEQ随之减小，I_BQ也减小，从而牵制了I_CQ（I_EQ）的增加,使I_CQ基本维持恒定，这是负反馈作用，是利用直流电流I_CQ（I_EQ）的变化来实现负反馈作用，称之为直流电流负反馈。事实上从U_BEQ=U_BQ-I_EQR_E，也知道I_CQ（I_EQ）基本不变的道理，因为在电流变化很小时，根据PN结的特性U_BEQ基本不变。

下面来看看这个电路的性能指标。

由于C1、C2、C_E容量较大，对交流信号可视为短路，直流电源V_CC内阻很小，对交流信号也可视为短路，这样就可以得到下图（a)所示的交流通路。然后将晶体管用H参数小信号电路模型代入，便可得到放大电路的小信号等效电路，如下图（b）

电压放大倍数为：

U_O=-βi_bR_C//R_L，设R_L^'=R_C//R_L，则U_O=-βi_bR_L^'

U_i=i_br_be

输入电阻

R_i=R_B1//R_B2//r_be

输出电阻

R_O=R_C

同以上可知，共发射极放大电路的输出电压U_O与输入电压U_i反相，输出电阻与输入电阻大小适中。由于共发射极电路的电压、电流、功率增益都比较大，因而广泛应用，适合作一般放大电路的中间级。